ایده ترانزیستورهای اثر میدانی − فلز − اکسید − سیلیکن در اوایل دهه ۱۹۳۰ و حتی قبل از اختراع ترانزیستور دوقطبی مطرح شد. اما به دلیل مشکل بودن فرایند ساخت، فناوری CMOS، بعدها عملی شد. اگرچه در اوایل دهه ۱۹۸۰، کارشناسان و مهندسان، مرگ مدارهای آنالوگ را پیش بینی کرده بودند اما با معرفی افزاره های مکمل CMOS، انقلابی در صنعت نیمه رسانا شکل گرفت، به طوری که در حال حاضر با پیدایش فناوری های زیر چند ده نانومتری، هسته اصلی طراحی مدارات داخلی، در طراحی های گیرنده − فرستنده، گیرنده های نوری، حسگرها، ریزپردازنده ها و حافظه ها را این تکنولوژی دربرگرفته است. این آموزش تا جای ممکن و به تفصیل، مباحث مدارات مجتمع آنالوگ را در سطح پیشرفته تر و کاربردی تر ادامه داده و دانشجو را برای خلق مدارات بهتر به لحاظ مواردی که در طراحی ها مهم هستند، آماده می کند.