-
دوشنبه, ۲۸ مهر ۱۳۹۹، ۰۳:۵۶ ب.ظ
-
۴۰۷
ایده ترانزیستورهای اثر میدانی − فلز − اکسید − سیلیکن در اوایل دهه ۱۹۳۰ و حتی قبل از اختراع ترانزیستور دوقطبی مطرح شد. اما به دلیل مشکل بودن فرایند ساخت، فناوری CMOS، بعدها عملی شد. اگرچه در اوایل دهه ۱۹۸۰، کارشناسان و مهندسان، مرگ مدارهای آنالوگ را پیش بینی کرده بودند اما با معرفی افزاره های مکمل CMOS، انقلابی در صنعت نیمه رسانا شکل گرفت